GeleceÄŸin bellek çipleri

Güney Koreli elektronik devi Samsung 60 nanometre üretim teknolojisi ile geliÅŸtirilen ilk 8 gigabit'lik flaÅŸ bellek ve 80 nm ile üretilen 2 gigabit'lik DDR DRAM çipini tanıttı. Halen prototip aÅŸaasında olan her iki bellek çipi de devreleri küçültürken, depolama kapasitesini çok daha yukarıya çekiyor.Cep telefonu, flaÅŸ hafıza kartları ve MP3 player gibi cihazlarda kullanılan flaÅŸ bellekler cihaz kapandrığı zaman verilerin kaybolmadan saklanmasını saÄŸlarken, DDR DRAM bellekleri bilgisayarlarda kullanılıyor. TEK KARTTA 16 SAATLÄ°K DVDCNet'in haberine göre, kendi alanlarındaki diÄŸer ürünlere göre boyutları daha küçük olan yeni çipler daha ucuza daha fazla veri depolama imkanı sunacak. Yeni flash çipi tek bir hafıza kartında 16 gigabyte veri depolanmasına izin verecek. :Bu 16 saatlik DVD kalitesinde video ya da 4 bin MP3 ÅŸarkısına (ortalama 5 dakikalık) denk geliyor. Mevcut flaÅŸ kartların maksimum kapasitesi 4 GB.Yeni çipler halen prototip aÅŸamasında olduÄŸu için tüketiciler daha fazla kapasiteye kavuÅŸmak için biraz daha beklemek zorunda. Ãœreticiler 90 nm teknolojisi ile ilk çiplerini bu sene yapmaya baÅŸladı. 80 nm'lik çiplerin piyasaya çıkması için en az bir yıl daha geçmesi gerektiÄŸi belirtiliyor. 65 nm'lik çiplerin ise 2005 sonundan önce tüketicilere ulaÅŸması beklenmiyor.INTEL SAMSUNG YARIÅžIFlaÅŸ ve DRAM bellek pazarının lideri Samsung'un yeni çipleri, Güney Koreli üreticinin tıpkı yarı iletken devi Intel gibi pazara hakim olmak için yeni üretim teknolojilerini zorlayacağını gösteriyor. Çip pazarının genelinde ikinci sırada olan Samsung ile birinci sıradaki Intel arasında özellikle flash bellek pazarında sıkı bir rekabetin yaÅŸanması bekleniyor. Samsung'un avuç içi cihazlar için daha fazla iÅŸlemci üretme hedefi de iki dev arasındaki rekabeti daha da kızıştıracak.Ä°lgili linkler:  Â